2020年10月28日，由深圳市工信局、深圳市福田區(qū)人民政府領(lǐng)導(dǎo)，由高新技術(shù)行業(yè)門戶OFweek維科網(wǎng)絡(luò)主辦，由OFweek維科網(wǎng)絡(luò)電子工程主辦“2020中國國際集成電路產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新發(fā)展高峰(60 演講報告中多次提到SOTB過程。 采用新型晶體管技術(shù)的SOTB工藝技術(shù)是環(huán)境保護宏澤偉業(yè)科技技術(shù)支持專家SOTB工藝技術(shù)SOTB工藝技術(shù)是采用SOI (Silicon on Insulator )的新型晶體管技術(shù)。 專家表示，作為文藝復(fù)興電子的壟斷過程，SOTB通?？梢詫㈦y以兼顧的活動時消耗電力和休眠時消耗電力降低到極限，同時還可以支持一個芯片上的SOTB和Bulk的混合結(jié)構(gòu)。
在晶片基板上的薄硅層下面形成有極薄的絕緣層(盒：buriedoxide )。 通過防止雜質(zhì)混入硅層，可以實現(xiàn)穩(wěn)定的低電壓運行，能量效率更好，發(fā)揮更好的運算性能。 另外，待機時通過控制BOX層下的硅基板電位(反偏壓控制)，可以減少漏電流，降低待機能量。 由于SOTB的芯片采用了薄的BOX結(jié)構(gòu)，所以容易去除BOX，能夠在同一芯片上形成SOTB晶體管和Bulk CMOS晶體管。
這允許使用現(xiàn)有Bulk 產(chǎn)品的IP、I/O端口、電荷泵、各種模擬IP等。 宏澤偉業(yè)科技產(chǎn)品家族采用SOT BTM (SIlicononthinburiedoxide薄氧化嵌入層硅)工藝，基于Arm Cortex-M0核構(gòu)建，在傳感器控制的專家特別介紹了RE01。 RE01在操作和待機期間具有非常低的功耗。 1.62V可以運行到高達64MHz，ULP-CP得分705獲得了EEMBC認(rèn)證。 在只有少量電流的環(huán)境下，可實現(xiàn)長電池壽命和高速運轉(zhuǎn)，提供以往無法實現(xiàn)的值。 那么，如何環(huán)保呢？ 專家表示，宏澤偉業(yè)科技通過支持電源模式、低功耗模式、電源控制模式三個節(jié)電功能來降低功耗。
1 .通過切斷不必要的電源來降低功耗。
2 .停止時鐘，執(zhí)行必要的最小限度的功能，從而降低功耗。
3 .通過控制功率控制模式內(nèi)部LDO，通過使用高效的外部DCDC，可以大幅降低有效電流。 隨著可持續(xù)發(fā)展觀念的深入人心環(huán)境保護也成為科技企業(yè)發(fā)展道路上不可忽視的重要一環(huán)。 如何通過科學(xué)技術(shù)的發(fā)展保護環(huán)境值得所有科學(xué)技術(shù)企業(yè)深入探索。 科學(xué)技術(shù)的價值是使一切成為可能。 宏澤偉業(yè)科技作為家具領(lǐng)先和可靠的智能芯片解決方案的供應(yīng)商，將繼續(xù)努力為人類創(chuàng)造更舒適美好的生活。
-
電話
0755-88877735 -
微信
